IXTH11N100A 时间：2025/8/5 17:37:41 阅读：27

IXTH11N100A 是一款由 Littelfuse（原IXYS）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件专为高电压、高频率开关应用设计，适用于如电源转换器、马达控制、UPS系统、太阳能逆变器等高功率电子系统。该MOSFET采用了先进的平面技术，提供了卓越的导通和开关性能。其1000V的漏源击穿电压（VDS）使其能够在高压环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000V
　　最大漏极电流（ID）：11A（25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.75Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：48nC（典型）
　　输入电容（Ciss）：1300pF（典型）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：170W

特性

IXTH11N100A 采用先进的平面MOSFET技术，具有优异的开关性能和较低的导通损耗。其低栅极电荷（Qg）有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的导通电阻相对较低，进一步减少了在高电流条件下的功率损耗。其高耐压特性（1000V VDS）使得该MOSFET非常适合用于高电压环境，如工业电源和可再生能源系统。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常运行，增强了其在恶劣环境中的可靠性。

应用

IXTH11N100A 主要用于高电压和高频率的开关应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、工业电机控制、LED驱动器和太阳能光伏逆变器等。其高电压耐受能力和较低的导通损耗使其在高压电源转换系统中表现出色。此外，该MOSFET也可用于高频谐振变换器和电信电源系统中，以实现高效能和高可靠性的设计。