IXTH10N90A 时间：2025/8/5 16:42:28 阅读：31

IXTH10N90A 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具备高耐压能力和较低的导通电阻，适合在高电压和高电流条件下工作。其主要特点包括高可靠性、快速开关速度和热稳定性，适用于各种工业和电源管理系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：900 V
　　漏极电流（Id）：10 A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.85 欧姆（典型值）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXTH10N90A 具备出色的电气性能和高可靠性，其主要特性包括高耐压能力和较低的导通电阻，使得该器件在高电压条件下能够有效降低功率损耗。该 MOSFET 的快速开关速度有助于提高系统效率，并减少开关损耗。此外，其 TO-247AC 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还确保了在高温环境下的稳定运行。该器件的栅极驱动要求较低，能够在较宽的 Vgs 范围内工作，从而简化了驱动电路的设计。此外，IXTH10N90A 还具备良好的热稳定性，能够在高温条件下保持稳定的性能，适合长时间高负载运行的应用场景。
　　在结构设计上，IXTH10N90A 采用了先进的硅技术，确保了器件的稳定性和耐用性。同时，其内部结构优化了电场分布，提高了器件的雪崩能量承受能力，从而增强了系统的整体可靠性。

应用

IXTH10N90A 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备。此外，该器件也常用于太阳能逆变器、电池管理系统和高电压直流输电系统中。由于其优异的电气性能和热稳定性，IXTH10N90A 也适用于需要高可靠性和长时间运行的工业控制和电力电子系统。