IRG4PC50W 时间：2025/5/8 12:24:39 阅读：11

IRG4PC50W 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高频开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合需要高效能和低损耗的应用场景。
　　这款MOSFET的设计目标是满足高效率电力电子系统的需求，其卓越的电气性能和可靠性使其成为工业和消费类应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：500V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4.9A
　　脉冲漏极电流：16A
　　导通电阻（典型值）：3.7Ω
　　栅极电荷：28nC
　　开关时间：开启时间 77ns，关断时间 55ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

IRG4PC50W 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：高达500V的最大漏源电压确保了其在高压环境下的稳定运行。
　　2. 低导通电阻：典型值为3.7Ω的导通电阻有效降低了导通损耗，提升了整体效率。
　　3. 快速开关能力：较小的栅极电荷和短促的开关时间使得该器件能够实现高频操作，适用于开关频率较高的应用场景。
　　4. 高可靠性：采用了先进的制造工艺，保证了器件在恶劣条件下的长期稳定性。
　　5. 简化的热管理：TO-220封装提供良好的散热性能，便于设计者进行有效的热管理。

应用

IRG4PC50W 可应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等。
　　2. 电机驱动：用于控制小型直流电机或步进电机。
　　3. DC-DC转换器：在汽车电子、通信设备中作为功率级元件。
　　4. 逆变器：为太阳能逆变器和其他类型的逆变器提供高效的功率切换功能。
　　5. 电磁阀驱动：用于工业自动化控制中的电磁阀驱动电路。