时间：2025/8/5 22:21:12
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IXTC280N055T是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET晶体管，主要用于高电流、高频率的应用，例如电源转换器、电机控制和逆变器等。该MOSFET采用了先进的技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，能够在高压和高电流条件下高效运行。该器件采用TO-247封装，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：55V
最大漏极电流（ID）：280A
导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ
栅极电压（VGS）：最大±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
IXTC280N055T具备极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，实现了快速的开关速度，降低了开关损耗。此外，该器件的封装设计提供了良好的散热性能，能够承受高功率密度下的热应力。
该MOSFET具有较高的电流承载能力和优异的热稳定性，适用于需要高可靠性和高效率的功率电子系统。其宽泛的工作温度范围使其能够在极端环境条件下稳定运行，提高了系统的可靠性和耐久性。
IXTC280N055T广泛应用于各种高功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统和不间断电源（UPS）。由于其优异的导通和开关特性，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。此外，它还适用于工业自动化、电动汽车和可再生能源系统等领域的功率管理解决方案。
IXTC280N055T的替代型号包括IXFN280N055T、IXTP280N055T以及STIPL280N55K5。
