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D30NF06 发布时间 时间:2025/7/23 7:08:18 查看 阅读:32

D30NF06 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力以及良好的热稳定性,适用于多种功率管理和电源转换应用。D30NF06 通常用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关、负载管理等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):30A
  导通电阻(RDS(on)):最大45mΩ @ VGS = 10V
  功率耗散(PD):160W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK(表面贴装)

特性

D30NF06 MOSFET具有多项优异特性,使其在多种电源应用中表现出色。
  首先,该器件的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在VGS = 10V时,RDS(on)最大值仅为45毫欧,非常适合高效率电源转换设计。
  其次,D30NF06具备较高的连续漏极电流能力,最大可达30A,能够满足大功率负载的应用需求。其高电流能力结合低导通电阻,使该器件在高负载条件下仍能保持较低的温升。
  此外,D30NF06的工作温度范围宽达-55°C至+175°C,适用于各种恶劣工作环境,如工业控制、汽车电子等。其高热稳定性也确保了在高温条件下器件的可靠运行。
  该MOSFET采用TO-220和D2PAK封装形式,便于散热并支持不同的电路板安装方式。TO-220封装适用于通孔安装,而D2PAK则适合表面贴装,提高了设计灵活性。
  最后,D30NF06具有良好的栅极驱动兼容性,可在±20V的栅源电压范围内正常工作。这种宽泛的栅压范围使其可以与多种驱动电路配合使用,提升了其在不同应用场景中的适应性。

应用

D30NF06广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源开关、电池管理系统(BMS)、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。
  在DC-DC转换器中,D30NF06用于高频开关操作,实现高效的能量转换。其低导通电阻和高电流能力有助于提升转换效率,减少发热。
  在电机控制和驱动电路中,该MOSFET用于控制直流电机或步进电机的启停与方向切换,其高电流承载能力能够满足电机启动和负载变化的需求。
  在电源管理系统中,D30NF06常用于电池充放电管理、负载切换和过流保护电路中,保障系统的稳定运行。
  此外,D30NF06还可用于工业自动化控制系统、汽车电子设备、电源适配器、UPS不间断电源等应用领域。

替代型号

IRFZ44N, FDP30N06, STP30NF06, IRLZ44N

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