容量：4Mbit
　　组织结构：512K x8位
　　供电电压：2.7V至3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行接口
　　编程电压：内部电荷泵提供
　　擦除和编程周期：100,000次
　　数据保持时间：超过20年

M29W400BB55N1(PROG)具备多项特性，使其适用于广泛的应用场景。其55ns的访问时间确保了快速的数据读取能力，适合实时应用。芯片内置的电荷泵提供编程所需的高压，简化了外部电源设计。该芯片支持页编程和块擦除操作，提高了写入和擦除效率。M29W400BB55N1的高可靠性和长寿命（100,000次擦写周期）使其适用于频繁更新数据的应用。其工业级温度范围确保在严苛环境中稳定工作。芯片还提供多种保护机制，包括硬件写保护和软件保护，防止意外数据修改或擦除，提高系统安全性。M29W400BB55N1采用TSOP封装，便于集成到紧凑的电路设计中。
　　M29W400BB55N1还支持多种操作模式，如低功耗待机模式和深度掉电模式，有效降低功耗，适用于电池供电设备。其内置的状态寄存器允许用户监控操作状态，确保操作的可靠性。该芯片的兼容性设计使其可以轻松替代其他并行NOR Flash器件，简化系统升级过程。M29W400BB55N1的多功能性和高性能特性使其成为工业自动化、汽车电子和消费类电子产品的理想选择。

M29W400BB55N1广泛应用于需要可靠非易失性存储的场景，例如嵌入式系统的固件存储、工业控制设备的参数保存、汽车电子中的诊断数据记录以及消费类电子产品中的代码执行。其快速访问时间和低功耗特性也使其适用于便携式设备和需要频繁更新数据的应用。M29W400BB55N1还可用于网络设备、通信模块和医疗设备中的关键数据存储。

M29W400BT55N1, M29W800BB55N1, M29W400AB55N1