时间：2025/12/26 20:30:17
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IXTC26N50P是一款由Littelfuse公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面条纹式场效应技术制造，专为高效率和高可靠性应用而设计。该器件具有500V的高漏源击穿电压（V(BR)DSS），能够承受较高的电压应力，适用于多种开关电源和功率转换系统。其连续漏极电流（ID）在室温下可达26A，具备较强的载流能力，同时拥有较低的导通电阻（RDS(on)），典型值在常温下小于0.17Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。IXTC26N50P采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以实现有效散热，适合高功率密度应用场景。该MOSFET广泛应用于AC-DC开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及照明镇流器等工业和消费类电子设备中。
该器件的栅极阈值电压（VGS(th)）通常在2.0V至4.0V之间，使其能够与标准逻辑电平或专用栅极驱动器兼容，从而简化驱动电路设计。此外，IXTC26N50P具备优良的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，增强了其在恶劣工作环境下的鲁棒性。其内部结构优化了电荷载流子迁移路径，降低了寄生参数的影响，提升了开关速度和动态性能。由于采用了高质量的封装材料和严格的制造工艺控制，IXTC26N50P还表现出优异的长期可靠性，适用于要求严苛的工业级和汽车级应用场合。
型号：IXTC26N50P
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（V(BR)DSS）：500V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：26A
脉冲漏极电流（IDM）：104A
导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V, ID=13A）：≤0.17Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大工作结温（Tj）：150°C
输入电容（Ciss）：1800pF
输出电容（Coss）：190pF
反向恢复时间（trr）：47ns
封装形式：TO-247
IXTC26N50P的核心优势在于其出色的电气性能与热管理能力的结合。该MOSFET采用先进的平面场效应技术，实现了低导通电阻与高击穿电压之间的良好平衡，使其在高电压应用中仍能保持较低的导通损耗。其RDS(on)在高温条件下变化较小，表现出良好的温度稳定性，这对于持续运行的电源系统尤为重要。器件的低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于减少驱动损耗并加快开关速度，从而提升高频开关应用中的效率。此外，较低的输出电容（Coss）减少了关断过程中的能量损耗，进一步优化了系统的能效表现。
该器件具备优异的抗雪崩能力，能够在突发过压或感性负载切换时吸收一定的能量而不损坏，提高了系统在异常工况下的生存能力。其内部结构经过优化，减少了寄生电感和电容，抑制了开关过程中的振铃现象，降低了电磁干扰（EMI）。TO-247封装不仅提供了较大的焊接触点面积，有利于电流承载，还具备优良的热传导性能，结到壳的热阻（RthJC）较低，通常在0.5°C/W左右，配合外部散热器可有效控制工作温度。
IXTC26N50P符合RoHS环保要求，并通过了多项国际安全与可靠性认证，适用于工业自动化、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动工具电源模块等对可靠性和效率要求较高的领域。其坚固的结构设计也使其在振动、湿度和温度循环等恶劣环境中表现出色，是中高功率开关应用中的理想选择。
IXTC26N50P广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。常见用途包括AC-DC开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源中作为主开关管使用。在DC-DC转换器中，它可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构，实现高效的电压变换。该器件也适用于逆变器系统，如太阳能光伏逆变器和不间断电源（UPS），在这些应用中负责将直流电转换为交流电输出，其高耐压和强电流能力确保了系统的稳定运行。
此外，IXTC26N50P可用于电机驱动电路，尤其是在中小型交流或直流电机的控制模块中，作为功率开关元件实现PWM调速功能。在电子照明系统中，如高强度气体放电灯（HID）镇流器或LED驱动电源，该MOSFET可用于高频斩波和功率调节，提升光源的启动性能和光效。其高可靠性也使其适用于工业控制设备、医疗电源以及汽车充电系统等对安全性要求较高的场景。凭借其优异的开关特性和热稳定性，IXTC26N50P在需要长时间连续运行和高能效转换的应用中展现出卓越性能。
STP25NM50FD
SPW20N50C3
FQP24N50
