类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：72A
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 0.024Ω（典型值）
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

IXTA72N20T 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的最大漏极电流额定值（72A），使其能够处理大电流负载，适用于需要高功率输出的应用场景。
　　另一个关键特性是其 200V 的漏源电压额定值，这使得该 MOSFET 可以在较高的电压条件下可靠运行，适用于多种电源转换电路，如 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和电机驱动器等。其 ±20V 的栅源电压范围提供了良好的栅极控制能力，确保了器件在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
　　IXTA72N20T 采用 TO-220AB 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提高器件的热稳定性和长期运行的可靠性。该封装也便于在 PCB 上安装和焊接，适用于自动化生产和大批量应用。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表明其能够在极端环境条件下正常工作，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品等多种领域。

IXTA72N20T 广泛应用于各种电力电子系统中，特别是在需要高电流和高电压处理能力的场合。例如，在电源供应器中，它可以用于高效能的 DC-DC 或 AC-DC 转换器，以实现能量的高效转换。在电机控制领域，该 MOSFET 可用于 H 桥电路，驱动直流电机或步进电机，提供精确的速度和方向控制。
　　此外，IXTA72N20T 还可用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电池管理系统（BMS）等新兴应用。这些应用对器件的效率、可靠性和热管理能力有较高要求，而 IXTA72N20T 的设计正好满足这些需求。
　　在工业自动化设备中，该 MOSFET 常用于负载开关、继电器替代和高功率 LED 驱动电路中。由于其高电流能力和低导通电阻，它能够有效降低功耗并提高设备的整体性能。

IXTA72N20X，IRF740，STP75NF75