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IXTA36P15P-TRL 发布时间 时间:2025/8/5 21:00:40 查看 阅读:17

IXTA36P15P-TRL是一款由IXYS公司生产的P沟道功率MOSFET晶体管。这种MOSFET主要用于高功率应用,如电源转换器、电机控制和电池管理系统等。IXTA36P15P-TRL采用先进的技术制造,具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。该器件的封装设计有助于提高散热效率,从而在高电流条件下保持稳定运行。

参数

类型:P沟道
  最大漏源电压(Vds):150V
  最大漏极电流(Id):36A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ(最大)
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

IXTA36P15P-TRL的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率;高耐压能力使其适用于多种高功率应用;其封装设计优化了散热性能,确保在高电流条件下仍能保持稳定。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境中长时间运行。该器件还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,进一步提高了系统的整体性能。

应用

IXTA36P15P-TRL广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器和逆变器等高功率电子设备中。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为需要高效能功率管理的首选器件。此外,该MOSFET也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及可再生能源系统中的功率控制部分。

替代型号

IXTA36P15P-TRL的替代型号包括IXTA36P15、IXTA36P15T和IXTA36P15ATR。

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IXTA36P15P-TRL参数

  • 现有数量6,494现货
  • 价格1 : ¥54.70000剪切带(CT)800 : ¥35.63901卷带(TR)
  • 系列PolarP?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)110 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)55 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3100 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263(D2Pak)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB