STF21N90K5 时间：2025/7/22 16:18:14 阅读：9

STF21N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率的应用场合。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于诸如电源转换、电机控制、UPS系统和工业自动化等领域的高效率功率管理需求。STF21N90K5具有优异的性能和可靠性，是一款广泛应用于工业和消费电子领域的关键电子元器件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：21A
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　最大功耗（PD）：62.5W
　　漏极电容（Coss）：70pF（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）

特性

STF21N90K5是一款性能优异的高压N沟道MOSFET，其采用了先进的制造技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的开关速度，能够在高压环境下稳定工作。其主要特性包括高耐压能力、低导通损耗、快速开关特性以及高热稳定性。
　　首先，该器件的最大漏源电压（VDS）可达900V，适用于高压电源转换和功率管理应用。其次，其低导通电阻（典型值为0.55Ω）有效降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，STF21N90K5具有快速的开关特性，能够支持高频操作，适用于需要高效能和快速响应的电力电子系统。
　　在封装方面，STF21N90K5采用TO-220封装，具备良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的环境条件，保证了器件的可靠性和长寿命。同时，该MOSFET具有较强的抗过载能力，在短时间内可承受较高的电流冲击，适合于电机驱动和电源开关等应用场合。
　　STF21N90K5还具备良好的栅极驱动兼容性，支持标准的10V栅极驱动电压，便于与各种控制电路集成。其栅极电荷（Qg）为45nC，降低了驱动电路的负担，提高了整体系统的能效。此外，该器件的漏极电容（Coss）为70pF，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统稳定性。
　　综合来看，STF21N90K5凭借其高压能力、低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性，成为一款适用于多种高压功率应用的高性能MOSFET。