STF21N90K5是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高功率的应用场合。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的热稳定性,适用于诸如电源转换、电机控制、UPS系统和工业自动化等领域的高效率功率管理需求。STF21N90K5具有优异的性能和可靠性,是一款广泛应用于工业和消费电子领域的关键电子元器件。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):21A
最大漏源电压(VDS):900V
最大栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):0.55Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
最大功耗(PD):62.5W
漏极电容(Coss):70pF(典型值)
栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
STF21N90K5是一款性能优异的高压N沟道MOSFET,其采用了先进的制造技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和较高的开关速度,能够在高压环境下稳定工作。其主要特性包括高耐压能力、低导通损耗、快速开关特性以及高热稳定性。
首先,该器件的最大漏源电压(VDS)可达900V,适用于高压电源转换和功率管理应用。其次,其低导通电阻(典型值为0.55Ω)有效降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,STF21N90K5具有快速的开关特性,能够支持高频操作,适用于需要高效能和快速响应的电力电子系统。
在封装方面,STF21N90K5采用TO-220封装,具备良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定。其工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种严苛的环境条件,保证了器件的可靠性和长寿命。同时,该MOSFET具有较强的抗过载能力,在短时间内可承受较高的电流冲击,适合于电机驱动和电源开关等应用场合。
STF21N90K5还具备良好的栅极驱动兼容性,支持标准的10V栅极驱动电压,便于与各种控制电路集成。其栅极电荷(Qg)为45nC,降低了驱动电路的负担,提高了整体系统的能效。此外,该器件的漏极电容(Coss)为70pF,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高系统稳定性。
综合来看,STF21N90K5凭借其高压能力、低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性,成为一款适用于多种高压功率应用的高性能MOSFET。
STF21N90K5广泛应用于高压和高功率场景中,如开关电源(SMPS)、电机驱动器、不间断电源(UPS)、工业自动化控制系统、功率因数校正(PFC)电路以及家电控制电路等。其高耐压能力和高效能特性使其在电力电子设备中发挥重要作用,确保系统的稳定性和可靠性。
STF21N90K5的替代型号包括STF21N90M5、STF21N90K5AG、STF21N90K5T4、STF21N90K5-TR、STF21N90K5-AP等。