您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STF21N90K5

STF21N90K5 发布时间 时间:2025/7/22 16:18:14 查看 阅读:9

STF21N90K5是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高功率的应用场合。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的热稳定性,适用于诸如电源转换、电机控制、UPS系统和工业自动化等领域的高效率功率管理需求。STF21N90K5具有优异的性能和可靠性,是一款广泛应用于工业和消费电子领域的关键电子元器件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):21A
  最大漏源电压(VDS):900V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.55Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220
  最大功耗(PD):62.5W
  漏极电容(Coss):70pF(典型值)
  栅极电荷(Qg):45nC(典型值)

特性

STF21N90K5是一款性能优异的高压N沟道MOSFET,其采用了先进的制造技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和较高的开关速度,能够在高压环境下稳定工作。其主要特性包括高耐压能力、低导通损耗、快速开关特性以及高热稳定性。
  首先,该器件的最大漏源电压(VDS)可达900V,适用于高压电源转换和功率管理应用。其次,其低导通电阻(典型值为0.55Ω)有效降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,STF21N90K5具有快速的开关特性,能够支持高频操作,适用于需要高效能和快速响应的电力电子系统。
  在封装方面,STF21N90K5采用TO-220封装,具备良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定。其工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种严苛的环境条件,保证了器件的可靠性和长寿命。同时,该MOSFET具有较强的抗过载能力,在短时间内可承受较高的电流冲击,适合于电机驱动和电源开关等应用场合。
  STF21N90K5还具备良好的栅极驱动兼容性,支持标准的10V栅极驱动电压,便于与各种控制电路集成。其栅极电荷(Qg)为45nC,降低了驱动电路的负担,提高了整体系统的能效。此外,该器件的漏极电容(Coss)为70pF,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高系统稳定性。
  综合来看,STF21N90K5凭借其高压能力、低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性,成为一款适用于多种高压功率应用的高性能MOSFET。

应用

STF21N90K5广泛应用于高压和高功率场景中,如开关电源(SMPS)、电机驱动器、不间断电源(UPS)、工业自动化控制系统、功率因数校正(PFC)电路以及家电控制电路等。其高耐压能力和高效能特性使其在电力电子设备中发挥重要作用,确保系统的稳定性和可靠性。

替代型号

STF21N90K5的替代型号包括STF21N90M5、STF21N90K5AG、STF21N90K5T4、STF21N90K5-TR、STF21N90K5-AP等。

STF21N90K5推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STF21N90K5参数

  • 其它有关文件STF21N90K5 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH5™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1645pF @ 100V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-12853-5