类型：射频开关
　　拓扑结构：SPDT（单刀双掷）
　　频率范围：DC 至 4 GHz
　　插入损耗（典型值）：0.35 dB @ 2.5 GHz
　　隔离度（典型值）：35 dB @ 2.5 GHz
　　回波损耗（典型值）：20 dB @ 2.5 GHz
　　功率处理能力：30 dBm（最大）
　　工作电压：2.3V 至 5.5V
　　控制电压：1.8V 至 5.5V
　　封装类型：TQFN-16

RFR6135-1ETR 具备多项先进的技术特性，使其在射频开关应用中表现出色。首先，其频率范围覆盖 DC 到 4 GHz，适用于多种无线通信标准，包括 Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、LTE 和 5G 等。插入损耗低至 0.35 dB，在高频段仍能保持信号完整性，确保通信质量。
　　该器件的隔离度高达 35 dB，在 2.5 GHz 下可有效隔离不同路径之间的信号干扰，防止串扰和信号泄露。回波损耗为 20 dB，表明其良好的阻抗匹配性能，减少了信号反射对系统的影响。
　　功率处理能力方面，RFR6135-1ETR 可承受高达 30 dBm 的输入功率，适用于中高功率应用场景。其工作电压范围宽广（2.3V 至 5.5V），控制电压兼容 1.8V 至 5.5V，便于与各种微控制器和射频前端电路集成。
　　

RFR6135-1ETR 主要应用于无线通信设备的射频前端模块，如智能手机、平板电脑、无线接入点（AP）、物联网（IoT）设备等。在这些设备中，它用于切换天线与发射/接收电路之间的连接，确保信号路径的高效切换。
　　此外，该射频开关也广泛用于基站、中继器、射频测试设备和无线基础设施中。由于其低插损和高隔离度特性，特别适用于对信号质量和系统稳定性要求较高的场景。
　　随着 5G 技术的发展，RFR6135-1ETR 在毫米波通信和多输入多输出（MIMO）系统中也有广泛应用。其宽频率范围和高线性度使其成为高性能射频系统的理想选择。

RFR6135-1CTR, RFR6135-1ESB, RF1279, PE42642, HMC642