类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：36A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为45mΩ（典型值为35mΩ）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约2.1V至4.0V
　　最大功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220

IXTA36N20T具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率开关应用。其主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流容量（36A）使其能够处理较大的负载电流，适用于如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统等应用。
　　此外，IXTA36N20T的200V漏源电压额定值使其适用于高压电源应用，具备良好的抗电压击穿能力。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频操作环境。其TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，增强了其在严苛工作环境下的可靠性。IXTA36N20T适用于工业自动化、电动汽车、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等高可靠性要求的应用场景。

IXTA36N20T广泛应用于各种高功率和高效率的电源管理系统中。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的电源模块。由于其高耐压和大电流能力，该MOSFET也常用于电动汽车的电池管理系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　在电机驱动应用中，IXTA36N20T能够提供高效的开关性能，减少能量损耗并提高系统响应速度。在电源转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性使其成为提高转换效率的理想选择。此外，该MOSFET还可用于音频放大器、电焊机和电镀电源等高功率电子设备。

IXTA36N20T的替代型号包括IXTA32N20、IXTA40N20和STP36NF20。这些型号在电气性能和封装上相近，可以根据具体应用需求进行选型替换。