时间：2025/5/31 0:08:21
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FS21B226M6R3EIG 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的功率 MOSFET，属于 N 沣道 型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。
其主要用途包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。通过优化的封装设计和出色的电气性能，FS21B226M6R3EIG 可以在高频和高效能要求的应用中提供稳定的性能。
型号：FS21B226M6R3EIG
类型：N 枋 MOSFET
VDS（漏源电压）：200V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：65mΩ
ID（持续漏极电流）：28A
Qg（栅极电荷）：7nC
fT（截止频率）：2.9MHz
封装形式：TO-263-3
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FS21B226M6R3EIG 的关键特性在于其低导通电阻（RDS(on)），这可以显著减少导通损耗，从而提高整体效率。
此外，该器件的高击穿电压（200V）使其能够承受较高的电压应力，适合于工业和汽车应用中的苛刻环境。
它的栅极电荷较低，有助于实现快速开关，从而降低开关损耗。
同时，其 TO-263-3 封装提供了良好的散热性能，并且易于安装和集成到现有电路设计中。
总体而言，FS21B226M6R3EIG 是一款高性能的功率 MOSFET，能够在各种复杂应用中表现出色。
FS21B226M6R3EIG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. DC-DC 转换器：适用于降压、升压和反激拓扑结构。
3. 电机驱动：用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
4. 电池管理系统（BMS）：用于保护电池组免受过充或过放的影响。
5. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等。
6. 汽车电子：如电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）等。
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