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IXTA180N085T 发布时间 时间:2025/12/27 4:27:42 查看 阅读:13

IXTA180N085T是一款由IXYS公司生产的高性能N沟道功率MOSFET,广泛应用于高电流、高效率的电源转换系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造,具有低导通电阻和优良的开关特性,适用于需要处理大电流并保持较低功耗的应用场景。其额定电压为85V,最大连续漏极电流可达180A,使其成为工业电机控制、DC-DC变换器、电池管理系统以及大功率电源模块中的理想选择。IXTA180N085T封装在TO-263(D2Pak)表面贴装封装中,具备良好的热性能和机械稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。此外,该MOSFET还集成了快速体二极管,有助于改善反向恢复特性,在高频开关应用中表现出色。由于其优异的电气性能和坚固的设计,IXTA180N085T在要求严苛的工业与汽车电子环境中得到了广泛应用。
  这款MOSFET特别适合用于同步整流、电动工具驱动器、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等对效率和可靠性要求较高的场合。其低栅极电荷和输入电容也有助于减少驱动损耗,提高整体系统的能效。为了确保长期稳定运行,建议在使用时配合适当的散热设计,并遵循推荐的焊接工艺规范。总体而言,IXTA180N085T是一款兼具高电流承载能力、低导通损耗和良好热管理特性的先进功率器件,代表了现代功率MOSFET技术的发展方向。

参数

型号:IXTA180N085T
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):85V
  连续漏极电流(Id):180A
  脉冲漏极电流(Idm):720A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):4.3mΩ @ Vgs=10V, Id=90A
  导通电阻(Rds(on)):5.0mΩ @ Vgs=4.5V, Id=90A
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0V ~ 4.0V
  栅极电荷(Qg):150nC @ Vds=70V, Id=90A
  输入电容(Ciss):7000pF @ Vds=25V
  反向恢复时间(trr):35ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-263 (D2Pak)
  安装方式:表面贴装

特性

IXTA180N085T具备卓越的导通性能和开关速度,这主要得益于其优化的硅片设计和先进的制造工艺。其超低的导通电阻(Rds(on))仅为4.3mΩ(在Vgs=10V条件下),显著降低了在大电流应用中的导通损耗,从而提高了系统整体效率。这种低Rds(on)特性尤其适用于高功率密度设计,例如服务器电源、电信整流器和工业电机驱动器,其中能量损耗必须被最小化以提升能效等级。同时,该器件在较低的栅极驱动电压(如4.5V)下仍能保持良好的导通状态,使其兼容多种逻辑电平驱动电路,增强了系统设计的灵活性。
  该MOSFET具有出色的热稳定性和高可靠性。其最大工作结温可达+175°C,能够在极端环境条件下持续运行而不发生性能退化或失效。这一特性使其非常适合部署在高温工业环境或封闭式电源模块中。TO-263封装不仅提供了优良的散热路径,还能通过PCB上的铜箔进行有效热传导,进一步增强其热管理能力。此外,器件内部结构经过优化,具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力,能够在瞬态过压或短路事件中提供一定程度的自我保护。
  在动态性能方面,IXTA180N085T表现出较低的栅极电荷(Qg = 150nC)和输入电容(Ciss = 7000pF),这意味着它所需的驱动功率较小,能够实现更快的开关速度,从而减少开关损耗。这对于高频工作的DC-DC转换器尤为重要,因为它可以直接影响到电源的工作频率和体积大小。此外,集成的体二极管具有较短的反向恢复时间(trr = 35ns),有助于抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统在硬开关拓扑中的运行稳定性。
  综上所述,IXTA180N085T凭借其低导通电阻、高电流容量、优良的热性能和稳健的动态特性,成为现代高效率功率系统中的关键组件。其综合性能指标满足甚至超越了许多同类产品的水平,适用于从工业自动化到新能源领域的多种高端应用场景。

应用

IXTA180N085T广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用包括大功率DC-DC转换器,尤其是在非隔离式降压(Buck)和升压(Boost)拓扑中作为主开关或同步整流器使用,能够显著降低导通损耗并提升转换效率。在工业电机控制领域,该器件可用于H桥驱动电路中,驱动直流电机或步进电机,其高电流承载能力和快速响应特性确保了电机运行的平稳与高效。此外,在电池管理系统(BMS)特别是高压锂电池组的充放电控制中,IXTA180N085T可作为主功率开关,实现精确的能量管理与安全保护。
  该器件也常见于太阳能光伏逆变器中,用于直流侧的功率调节和最大功率点跟踪(MPPT)电路,其低Rds(on)和良好热性能有助于提升系统全天候运行效率。在电动汽车和电动交通工具的车载充电机(OBC)及辅助电源模块中,IXTA180N085T因其高可靠性和耐久性而受到青睐。同时,它也被用于大功率LED照明驱动电源、服务器电源单元(PSU)、电信基站电源等对能效和空间利用率要求较高的场合。由于其表面贴装封装形式,适用于自动化生产流程,有利于提高制造效率和产品一致性。

替代型号

IXTH180N085T
  IXTP180N085T
  IRFP4468PbF
  SPW47N80C3
  APT180N85J

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IXTA180N085T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)85V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7500pF @ 25V
  • 功率 - 最大430W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装管件