型号：IXTA14N60P
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：600 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：14 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：56 A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：380 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅极电荷（Qg）：65 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：290 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　最大功耗（PD）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

IXTA14N60P具备多项先进特性，使其在中高功率开关应用中表现卓越。首先，其600V的高击穿电压确保了在高压直流母线系统中的安全运行，适用于AC-DC整流后端的功率级处理，尤其在工业电源和太阳能逆变器中具有重要地位。其次，该器件的导通电阻仅为380mΩ，在同级别600V MOSFET中处于较优水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提升了整体能效并减少了对散热系统的要求。
　　该MOSFET采用了优化的平面栅结构，实现了栅极电荷（Qg）与导通电阻之间的良好折衷，典型Qg值为65nC，有助于降低驱动电路的负担，同时支持较高的开关频率操作，适用于高频SMPS拓扑如LLC谐振变换器和有源钳位反激式电源。此外，其输入电容和输出电容分别约为1100pF和290pF，使得在高频下仍能维持可控的动态损耗。
　　热性能方面，TO-247封装提供了优良的热传导路径，最大功耗可达200W，配合外部散热器可有效延长器件寿命。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境条件下的长期运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=45ns），可在桥式电路或感性负载切换过程中减少反向恢复尖峰电压和电磁干扰（EMI）。
　　IXTA14N60P还具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的能量冲击而不损坏，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。其高dv/dt和di/dt耐受能力进一步增强了在复杂电磁环境中的稳定性。综合来看，这些特性使IXTA14N60P成为工业电源、UPS、电机控制和可再生能源系统中理想的高压开关元件。

IXTA14N60P广泛应用于多种高电压、大电流的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在大功率服务器电源、电信电源模块和工业电源中作为主开关管使用。在DC-DC转换器中，它可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构，提供高效的能量转换能力。
　　在逆变器系统中，如太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和家用变频空调中，IXTA14N60P常被用作桥臂开关元件，负责将直流电转换为交流电输出。其高耐压和良好开关特性能有效提升逆变效率并降低系统温升。
　　此外，该器件也适用于电机驱动领域，尤其是中小型交流感应电机或永磁同步电机的驱动电路中，作为功率输出级的核心器件。在电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）照明系统中，IXTA14N60P可用于高频振荡电路，实现灯管的稳定点燃与调光控制。
　　由于其高可靠性和宽温度工作范围，该MOSFET也被用于工业自动化设备、焊接电源、激光电源和医疗电源等对安全性要求较高的应用场景。其TO-247封装易于集成到PCB或模块化设计中，适合手动焊接或自动化装配流程。总体而言，IXTA14N60P凭借其出色的电气与热性能，成为多种中高端功率电子装置中的关键组件。

STP14NK60ZFP
　　FQP14N60C
　　K2143