FCH30A04 时间：2025/8/7 16:17:23 阅读：5

FCH30A04是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点。FCH30A04采用先进的PowerTrench?技术，优化了开关性能和导通损耗，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：170A（Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大3.0mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

FCH30A04 MOSFET采用了安森美半导体的PowerTrench?技术，这是一种先进的沟槽式MOSFET制造工艺，旨在降低导通电阻（RDS(on)）并提升器件的整体性能。该器件的最大漏源电压为40V，使其适用于中等功率的电源转换系统。其低导通电阻（最大3.0mΩ）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，FCH30A04能够承受高达170A的连续漏极电流，在高电流负载条件下仍能保持稳定工作。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和高功率耗散能力（250W），适合在高温环境下运行。其栅极驱动电压范围为±20V，推荐在10V驱动条件下使用以达到最佳导通状态。FCH30A04的封装形式为TO-263（D2PAK），属于表面贴装封装，便于自动化生产和散热管理。该封装形式还具有良好的热导性能，有助于将热量从芯片传导至PCB或散热片。
　　在开关性能方面，FCH30A04表现出较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其快速开关能力有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高电源系统的整体功率密度。此外，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在过压或瞬态条件下的可靠性。

应用

FCH30A04 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。在DC-DC转换器中，它可作为主开关器件，实现高效的电压变换。其低导通电阻和快速开关特性使其在同步整流电路中表现优异，提升了转换效率并减少了热量产生。在负载开关和电源管理系统中，FCH30A04可用于控制大电流负载的通断，如风扇、电机、LED照明和电池充电电路等。
　　该器件也常用于电机控制和H桥电路，适用于电动工具、电动车控制器和工业自动化设备。此外，FCH30A04还可用于服务器电源、电信设备电源、UPS（不间断电源）和功率因数校正（PFC）电路等高可靠性应用场合。其高耐压和大电流能力使其在恶劣工作环境下依然保持稳定运行。