类型：双二极管（共阴极）
　　材料：硅
　　封装形式：SOT-23
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向压降（VF）：850mV @ 10mA, 150°C
　　反向漏电流（IR）：200nA @ 25V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：350 K/W
　　安装方式：表面贴装

BAT54S/E9的核心优势之一在于其低正向导通压降特性，这是肖特基二极管的典型优点。相比传统的PN结二极管，肖特基势垒结构通过金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低了正向导通时的能量损耗。在10mA的测试条件下，其最大正向压降仅为850mV，这意味着在小电流信号整流或电压检测应用中能够有效减少功率损失并提升整体效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长续航时间。此外，在高温环境下（如150°C），该器件仍能保持较低的VF值，说明其热稳定性良好，适合在恶劣工况下长期运行。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短，通常在几纳秒量级。这使得BAT54S/E9非常适合用于高频开关电路，例如在开关电源中的续流或箝位环节，可以有效抑制电压尖峰并提高系统稳定性。同时，由于没有明显的反向恢复电荷，该器件在切换过程中产生的电磁干扰（EMI）较小，有利于简化EMC设计。
　　该器件还具有良好的反向漏电流控制能力。在25V反向电压和室温条件下，最大漏电流仅为200nA，虽然随着温度升高会有所增加，但在大多数应用中仍处于可接受范围内。这对于精密模拟电路或高阻抗信号路径来说至关重要，避免因漏电导致信号失真或偏移。此外，其高达30V的反向耐压能力使其可用于低压直流系统中的过压保护，例如USB接口、传感器模块或通信线路的静电放电（ESD）防护。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成到空间受限的设计中，而且具备良好的散热性能和机械强度。该封装支持自动化贴片工艺，适合大规模生产，有助于降低制造成本。整体而言，BAT54S/E9凭借其低功耗、高速度、高可靠性和小型化等综合优势，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAT54S/E9因其优异的电气特性和紧凑封装，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电池充电管理电路中的防反接保护或电源路径切换。其低正向压降特性有助于减少能量损耗，提升能效，延长设备使用时间。在这些应用场景中，BAT54S/E9通常被配置为OR-ing二极管，实现多电源输入之间的无缝切换，确保主电源优先供电，备用电源仅在主电源失效时启用。
　　在通信接口电路中，BAT54S/E9常用于信号线的电压箝位和静电放电（ESD）保护。例如，在I2C、SPI或UART等数字通信总线上，它可以将瞬态高压引导至地或电源轨，防止敏感逻辑器件受损。其快速响应能力和低寄生电容使其不会显著影响信号完整性，尤其适用于高速数据传输场合。此外，在模拟前端电路中，该器件可用于输入信号的限幅或钳位，防止过压损坏后续的运算放大器或ADC转换器。
　　在电源管理系统中，BAT54S/E9可作为续流二极管用于DC-DC转换器或LDO稳压器的输出端，吸收电感储能释放的反向电流，避免电压反冲造成芯片损坏。由于其快速反向恢复特性，能有效减少开关损耗，提高转换效率。此外，在热插拔电路或负载开关中，该器件可用于防止倒灌电流，保障系统的安全启动与关闭。
　　工业控制和汽车电子领域也是BAT54S/E9的重要应用方向。在PLC模块、传感器信号调理电路或车载信息娱乐系统中，它承担着电源隔离、电平转换和瞬态抑制等功能。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在高温、振动等严苛环境中稳定运行。总之，BAT54S/E9是一款通用性强、适应面广的双肖特基二极管，适用于各种需要高效、小型化二极管解决方案的设计场景。

BAS40-04W, PMEG2005EH, RB520S30, SMS7621, BAT54C