类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：150V
　　漏极电流(Id)：130A
　　导通电阻(Rds(on))：约3.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：180nC（典型值）
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

IXTA130N15X4具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在150V电压下，其导通电阻仅为约3.8mΩ，这使得它在高电流条件下也能保持较低的功率损耗。
　　其次，该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，优化了开关性能，减少了开关损耗，提高了器件的响应速度，适用于高频开关应用。
　　此外，IXTA130N15X4的封装形式为TO-263，属于表面贴装封装，具有良好的热管理能力，能够有效散热，确保器件在高负载下稳定运行。
　　该MOSFET还具备较高的耐用性和可靠性，在极端工作条件下仍能保持良好的性能，适用于工业电源、电动工具、电动汽车、太阳能逆变器等对可靠性要求较高的场合。
　　最后，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压和高电流应力，增强了器件的耐用性和系统的稳定性。

IXTA130N15X4广泛应用于多种高功率电子系统中。
　　在电源管理系统中，该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路，以提高能量转换效率并减少发热。
　　在电机驱动和控制电路中，该器件能够处理大电流负载，适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、伺服电机控制以及电动车辆的动力系统。
　　此外，IXTA130N15X4也适用于逆变器系统，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和储能系统，用于实现高效的能量转换和管理。
　　在工业自动化设备中，该MOSFET可用于开关电源、继电器驱动和功率调节电路，满足高可靠性和高效率的要求。
　　由于其优异的导通和开关性能，该器件还被广泛应用于高功率LED驱动、电池管理系统（BMS）以及充电器和适配器等消费类电子产品中。

IXTH130N15X4, IXTA130N10X4, IXTA160N10X4