KM44C256DZ-6 时间：2025/11/12 17:29:20 阅读：15

KM44C256DZ-6是一款由三星（Samsung）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于快速页面模式（Fast Page Mode, FPM DRAM）类型。该芯片的容量为4兆位（Mbit），组织结构为256K x 16位，意味着它包含256,000个地址行，每行存储16位数据。这种存储器广泛应用于20世纪90年代至21世纪初的计算机系统、工业控制设备、嵌入式系统和网络通信设备中，作为主内存或缓存使用。KM44C256DZ-6采用标准的CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的可靠性，适用于对成本敏感且不需要高速突发访问的应用场景。该器件工作电压为5V，兼容TTL电平，便于与当时的微处理器和控制器接口连接。封装形式通常为54引脚的ZIP（Zigzag In-Line Package）或SOJ（Small Outline J-lead），适合通孔或表面贴装技术安装。由于其成熟的制造工艺和稳定的性能表现，KM44C256DZ-6在停产前曾被大量用于PC/AT兼容机、工控主板、打印机、传真机等设备中。尽管现代系统已普遍转向SDRAM、DDR等更高速度的内存技术，但在维修、替换老旧设备中的原装内存颗粒时，仍需参考此类FPM DRAM的技术规格。

参数

型号：KM44C256DZ-6
　　类型：FPM DRAM
　　容量：4Mbit (256K x 16)
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：60ns
　　封装形式：54-pin ZIP/SOJ
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：8ms（1024行）
　　数据宽度：16位
　　地址输入：A0-A8（复用行/列地址）
　　控制信号：RAS#, CAS#, WE#, OE#
　　输出类型：三态输出
　　功耗：典型值约300mW（运行模式）

特性

KM44C256DZ-6作为一款典型的FPM DRAM，在其时代具备良好的性能与稳定性。该芯片采用地址复用技术，通过分时传输行地址和列地址来减少引脚数量，从而降低封装成本并提高集成度。其核心操作包括读取、写入、预充电和自动刷新等功能，支持异步控制方式，由外部控制器提供RAS#（行地址选通）和CAS#（列地址选通）信号进行时序管理。在快速页面模式下，当连续访问同一行的不同列地址时，仅需改变列地址而无需重新激活行地址，显著提升了数据吞吐效率，尤其适用于需要频繁读写相邻内存位置的应用场景。
　　该器件支持两种刷新模式：集中式刷新和分布式刷新，确保在正常运行期间维持存储单元中电容电荷的完整性，防止数据丢失。内部结构包含多个存储阵列、灵敏放大器、地址译码器和控制逻辑电路，所有功能模块均经过优化设计以实现低噪声和高抗干扰能力。此外，KM44C256DZ-6具备三态输出缓冲器，允许在多设备共享数据总线时实现电气隔离，避免总线冲突。
　　芯片的工作温度范围为商业级（0°C 至 +70°C），适合大多数室内环境下的电子系统使用。虽然其访问时间为60纳秒，在现代标准下属于较慢水平，但在其应用时期已能满足x86架构处理器如Intel 80486和早期Pentium系统的内存需求。整体而言，该器件以其成熟的设计、可靠的性能和广泛的兼容性成为当时主流的DRAM解决方案之一。

应用

KM44C256DZ-6主要应用于20世纪90年代中期的各类电子系统中，尤其是在个人计算机领域有着广泛部署。它常被用作PC/AT兼容机的主内存模块（SIMM条）上的组成颗粒之一，多个此类芯片并联可构成完整的32位或64位数据宽度内存条，满足当时处理器总线的需求。除了计算机系统外，该芯片也常见于工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）终端以及数控机床中，用于暂存程序代码和实时数据。在网络通信设备方面，路由器、交换机和集线器等产品在早期设计中也采用了FPM DRAM作为帧缓冲或协议处理缓存。
　　此外，办公自动化设备如激光打印机、喷墨打印机和多功能一体机中，该芯片用于图像数据缓存和打印队列管理。在消费类电子产品中，部分高端电视、机顶盒和多媒体播放器也曾使用类似规格的DRAM进行视频解码辅助存储。由于其接口简单、驱动容易，一些嵌入式控制系统或专用仪器仪表也会选用KM44C256DZ-6作为临时数据存储介质。
　　尽管目前已被更先进的内存技术所取代，但在设备维护、备件替换和复古计算项目中，该芯片仍然具有一定的应用价值，特别是在修复老式主板或恢复经典计算机系统时，是不可或缺的关键元器件之一。