时间：2025/7/18 22:33:49
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IXTA120P065T是一款由Littelfuse（原IXYS）制造的P沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电流、低电压应用，具有优异的导通电阻和快速开关性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场景。IXTA120P065T采用先进的沟槽技术，提供高效率和可靠性，封装形式为TO-252（D-Pak），便于散热和安装。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：-65V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：-120A
导通电阻(Rds(on))：1.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（D-Pak）
功率耗散(Pd)：160W
输入电容(Ciss)：5000pF（典型值）
阈值电压(Vgs(th))：-2.5V至-4.0V
IXTA120P065T具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低导通损耗，提高系统效率。
采用先进的沟槽MOSFET技术，实现更高的电流密度和更好的热性能。
该器件具有出色的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力条件下的可靠性。
其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
内置体二极管具备良好的反向恢复特性，适用于需要快速续流的应用场景。
TO-252封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
此外，该MOSFET具备良好的抗短路能力，适用于要求高稳定性的工业和汽车电子系统。
IXTA120P065T广泛应用于多种电力电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配系统、工业自动化设备以及电动汽车（EV）充电模块等。
由于其高电流能力和低导通电阻特性，该器件特别适合需要高效率和高可靠性的电源转换和功率控制应用。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）等关键部件。
在工业控制中，该器件适用于PLC电源模块、伺服驱动器和不间断电源（UPS）系统。
同时，其优良的热性能和机械稳定性也使其成为高密度电源设计的理想选择。
IXTP120P065T, IXTS120P065T, FDP120P065T, STP120P065T
