PM502J 时间：2025/8/7 2:36:53 阅读：28

PM502J是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路中。该器件由国际知名半导体制造商生产，采用TO-247封装形式，具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。PM502J主要用于电源转换、电机控制、逆变器、UPS系统等领域。由于其高效率和快速开关特性，它在现代电子系统中具有重要的地位。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：50A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.25Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247
　　最大栅极电荷（Qg）：约120nC
　　漏极-源极击穿电压（BVDS）：500V

特性

PM502J具备多项优良特性，使其适用于高功率应用。首先，其高漏源击穿电压（500V）使其能够承受高压环境下的工作条件，适用于高电压电源转换系统。其次，导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，额定漏极电流可达50A，使其适用于大功率负载的控制。PM502J的快速开关特性可减少开关损耗，提高系统的响应速度。同时，该器件具有良好的热稳定性，TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率工作环境下仍能保持稳定运行。
　　其栅极驱动要求较低，栅极阈值电压范围为2V至4V，兼容多种常见的逻辑电平控制电路，如微控制器或PWM控制器。此外，PM502J的高可靠性和长寿命使其成为工业级应用的理想选择，适用于各种严苛环境下的电子系统。

应用

PM502J广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业自动化控制系统。由于其优异的电气性能和稳定性，该MOSFET也常用于高频功率转换器和电机控制模块。在消费类电子产品中，PM502J可用于高功率LED照明驱动、电源管理模块以及高效率电源适配器的设计。