时间：2025/3/25 14:04:00
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IXTA08N100D2HV 是一款由 IXYS 推出的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于 Trench MOSFET 系列，采用先进的制造工艺以优化开关性能和导通电阻。这款芯片适用于高电压应用场景，如开关电源、电机驱动、工业控制以及其他需要高效功率转换的应用领域。
IXTA08N100D2HV 的封装形式为 TO-247，确保良好的散热性能和机械稳定性。它在高压环境下表现出色，同时具有较低的导通损耗和快速的开关速度。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：8A
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
导通电阻（典型值）：3.2Ω
总栅极电荷：65nC
反向恢复时间：95ns
工作结温范围：-55℃~+175℃
1. 高耐压能力，可承受高达 1000V 的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性，能够有效降低开关损耗。
4. 优化的栅极电荷设计，简化了驱动电路的设计。
5. 广泛的工作温度范围，能够在极端条件下保持稳定性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 不间断电源（UPS）
6. 工业自动化设备中的功率管理模块
7. 电动工具及其他高压电子设备
IXTH08N100D2HV
IXTA08N100T2
IRFP260N
