类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：140A（最大）
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.2mΩ（在VGS=10V条件下）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247

SKT140F10DUH1的导通电阻非常低，这使得在高电流条件下，导通损耗大幅降低，从而提高整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，以优化载流子分布，实现更低的RDS(on)和更高的开关速度。由于其较高的电流承载能力和较低的导通损耗，该MOSFET适用于高频开关应用。该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适合高功率应用。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其适用于多种驱动电路配置。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定运行。
　　该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，确保在突发电压或电流应力下仍能保持稳定工作。此外，它具备较低的输入电容和反向传输电容，有助于减少开关过程中的驱动损耗，从而提升开关速度和系统效率。这些特性使其非常适合用于需要快速开关和高效能的电源管理系统。

SKT140F10DUH1广泛应用于高功率电源系统，包括但不限于：高效能电源供应器（如服务器电源、PC电源）、DC-DC转换器（如升降压转换器）、电机驱动和控制电路、电池管理系统（如电动汽车和储能系统）、工业自动化设备中的功率控制模块、太阳能逆变器以及UPS（不间断电源）系统。此外，该MOSFET也适用于需要高可靠性和高效率的消费类电子产品和工业设备。

TKA140E10CU, SiHP140N10D