时间：2025/8/6 3:05:54
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IXSP10N60B2D1是一款由IXYS公司制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET采用了先进的技术，能够在高电压和高电流条件下提供卓越的性能。其封装设计有助于有效散热，从而延长设备的使用寿命。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流(Id)：10A
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.75Ω
功率耗散(Pd)：80W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
IXSP10N60B2D1具有低导通电阻，这使得它在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了系统的整体效率。
此外，该器件具有较高的耐压能力，使其适用于高电压环境。
其封装设计不仅提供了良好的散热性能，还增强了设备的机械稳定性。
这款MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，非常适合高频应用。
由于其坚固的设计，IXSP10N60B2D1能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。
IXSP10N60B2D1广泛应用于各种电源转换设备，如开关电源(SPS)、不间断电源(UPS)、马达控制电路以及各种工业自动化控制系统。
它也常用于需要高可靠性和高效率的消费电子产品中，如高性能电源适配器和充电器。
在新能源领域，这款MOSFET也适用于太阳能逆变器和电动汽车的电源管理系统。
STP10N60FI, IRFBC20
