时间：2025/7/3 19:04:16
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SKBPC3504是一种基于SiC（碳化硅）技术的MOSFET功率器件，适用于高频开关应用和高效率电源转换场景。该器件采用先进的封装工艺，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，同时具备快速开关速度和良好的热性能。
该功率MOSFET适用于要求高效、高功率密度的设计场合，例如电动汽车充电桩、太阳能逆变器、工业电源以及通信电源等。其出色的电气特性和可靠性使其成为现代电力电子设计的理想选择。
型号：SKBPC3504
类型：SiC MOSFET
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：24A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：50ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-4L
SKBPC3504的主要特点是其采用了碳化硅材料，从而具备了以下优势：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，适合高频应用，并能够减少开关损耗。
3. 高耐压能力，允许在高电压环境下可靠运行。
4. 出色的热性能，确保在高温环境下的稳定性。
5. 良好的动态性能和短路耐受能力，提高了系统的安全性和鲁棒性。
6. 四引脚封装设计优化了栅极驱动回路，进一步提升了开关性能和电磁兼容性。
这些特性使得SKBPC3504在功率转换应用中表现出色，尤其是在需要高效率和小尺寸解决方案的情况下。
SKBPC3504广泛应用于以下领域：
1. 太阳能逆变器，用于将直流电转换为交流电。
2. 电动汽车充电桩，提供高效的功率转换以缩短充电时间。
3. 工业电机驱动器，支持大功率电机的精确控制。
4. 不间断电源（UPS），确保关键设备的稳定供电。
5. 数据中心电源系统，提高能源利用效率并减少热量产生。
6. 通信基站电源，支持5G等新一代通信基础设施的需求。
由于其高效率和高可靠性，SKBPC3504成为这些高性能应用的理想选择。
SKBPC3506
SKBPC3510
C2M0080120D
FFSP15N12W
STPSC12H120Z
