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IS61DDPB21M36A-400M3L 发布时间 时间:2025/9/1 15:39:46 查看 阅读:10

IS61DDPB21M36A-400M3L是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗、36位同步双端口SRAM(静态随机存取存储器)。该器件采用先进的CMOS技术,提供高速数据访问能力,适用于需要高性能和高可靠性的应用领域。该SRAM支持独立的读写操作,具有两个独立的端口,允许同时进行读写操作而不会产生冲突。

参数

容量:21M x 36位
  组织方式:21,559,680字 x 36位
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:4.5ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:292-TQFP
  端口配置:双端口,同步

特性

IS61DDPB21M36A-400M3L具备高速同步双端口架构,允许两个端口独立地访问存储器中的数据,从而显著提高系统的吞吐量和效率。该器件内置独立的读写控制逻辑,支持非阻塞操作,确保在一个端口写入数据时,另一个端口仍然可以读取或写入其他地址的数据,避免操作冲突。
  此外,该SRAM采用低功耗CMOS技术,在保证高性能的同时,也具备较低的静态功耗和动态功耗,适合对功耗敏感的应用场景。其电源电压范围为2.3V至3.6V,适用于多种电压设计环境,具有良好的兼容性和灵活性。
  该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级温度要求,适合在严苛的工业和通信环境中使用。封装采用292-TQFP,体积小巧,便于PCB布局和集成。IS61DDPB21M36A-400M3L还支持全局复位功能,确保系统在启动或异常情况下能够进入已知状态,提高系统的稳定性和可靠性。

应用

IS61DDPB21M36A-400M3L广泛应用于需要高速数据处理和高可靠性的嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制设备以及图像处理系统等领域。例如,在路由器和交换机中,该器件可用于缓存高速数据流;在工业控制系统中,可作为主控单元的高速存储器,用于实时数据处理;在图像处理设备中,可用于存储图像数据并支持多路并发读写操作,提升系统性能。
  此外,该SRAM也可用于FPGA(现场可编程门阵列)系统的高速缓存,提升FPGA在处理复杂算法时的数据吞吐能力。在测试设备和测量仪器中,IS61DDPB21M36A-400M3L能够提供快速的数据存储和检索能力,确保系统实时响应和高精度数据处理。

替代型号

IS61DDPB21M36A-400M3L的替代型号包括IS61DDPB21M36A-450M3L、IS61DDPB21M36A-500M3L等,这些型号在速度等级上有所不同,可根据具体应用需求选择合适的型号。此外,也可考虑使用其他厂商的高速同步双端口SRAM作为替代,如Cypress的CY7C028V、CY7C136和IDT的IDT70V631等,但需注意引脚兼容性和时序参数的匹配性。

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IS61DDPB21M36A-400M3L参数

  • 制造商ISSI
  • 存储容量36 Mbit
  • 组织1 Mbit x 36
  • Supply Voltage - Max1.9 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作电流1100 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体FBGA-165
  • 封装Tray
  • 接口HSTL
  • 最大时钟频率400 MHz
  • 存储类型DDR-IIP
  • 工厂包装数量105