时间：2025/8/9 6:41:56
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2SK3678 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：最大3.7mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AB
2SK3678 的主要特性包括低导通电阻，这使得在高电流应用中可以减少功率损耗并提高整体效率。其高栅极击穿电压（±20V）增强了器件的可靠性，并使其适用于多种栅极驱动电路设计。此外，该MOSFET具有较高的电流承受能力，在110A的连续漏极电流下仍能保持稳定运行。
采用TO-220AB封装形式，2SK3678 具有良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。其快速开关特性有助于在高频电源应用中减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能稳定，从而延长使用寿命。
2SK3678 还具备较强的抗浪涌能力，能够承受短时间内的高电流冲击而不损坏，这在电机驱动和电源转换等应用中尤为重要。
2SK3678 主要用于高性能电源管理领域，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、逆变器、电机控制器和电池管理系统。由于其高电流能力与低导通电阻特性，它特别适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电动汽车充电模块以及工业自动化设备中的功率控制单元。
在DC-DC转换器中，2SK3678 用于高频开关操作，以提高转换效率并减小电感器和电容器的尺寸；在电机控制应用中，它可以作为H桥中的高边和低边开关，实现精确的速度和扭矩控制；在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电保护电路，确保系统的安全性和稳定性。
SiHF110N03-GE3, FDP110N03A, IRF110N03LM
