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IXSK50N60BD1 发布时间 时间:2025/8/6 7:53:19 查看 阅读:29

IXSK50N60BD1是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压和高电流应用而设计。该器件采用TO-247封装,具有良好的热性能和高可靠性,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等应用。IXSK50N60BD1采用了先进的MOSFET技术,具备较低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关速度,从而降低了导通损耗和开关损耗,提高了系统效率。

参数

漏源电压(VDS):600V
  漏极电流(ID):50A
  导通电阻(RDS(on)):最大值0.15Ω
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V
  工作温度范围:-55°C~150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXSK50N60BD1的主要特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这使得该器件在导通状态下能够有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的耐压能力,漏源电压可达600V,能够承受较大的瞬态电压冲击,适用于高压环境下的应用。其快速的开关特性使其在高频开关应用中表现出色,能够有效降低开关损耗,提高响应速度。
  该器件采用了先进的平面栅极技术和沟槽技术,优化了电流传导路径,从而提高了器件的热稳定性和可靠性。同时,IXSK50N60BD1内置了快速恢复二极管,能够在反向恢复过程中减少能量损耗,提高系统的整体性能。此外,该器件具有良好的热管理能力,TO-247封装设计能够有效散热,延长器件的使用寿命。
  在安全性和保护方面,IXSK50N60BD1具备较高的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。此外,其宽泛的工作温度范围使得该器件能够在恶劣的工业环境中稳定运行,确保系统的可靠性和稳定性。

应用

IXSK50N60BD1广泛应用于多种高电压和高电流场景中,例如工业电源系统、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动和控制电路、太阳能逆变器以及电焊设备等。在开关电源中,该器件可以作为主开关元件,负责高效地转换和调节电压,提升整体电源系统的效率和稳定性。在电机控制应用中,IXSK50N60BD1可用于驱动直流电机或交流感应电机,实现精确的速度和扭矩控制。
  此外,该器件还适用于需要高可靠性和长寿命的工业自动化设备,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器和机器人控制系统。在这些应用中,IXSK50N60BD1的高耐压能力和低导通电阻使其能够承受频繁的开关操作和较高的负载电流,确保系统的稳定运行。同时,该器件也可用于电动汽车充电设备和储能系统中,提供高效的能量转换和稳定的电流控制。

替代型号

IRF540N, STP55NF06, FDP50N60, FQA50N60

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IXSK50N60BD1产品

IXSK50N60BD1参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件