时间：2025/7/22 23:03:12
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UT14N65F 是一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC转换器以及各种高功率电子设备中。该器件采用先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A（Tc=25℃）
功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
导通电阻(Rds(on))：典型值0.38Ω @ Vgs=10V
封装形式：TO-220
UT14N65F 具备多项优异的电气和热性能特点。其最大漏源电压可达650V，使其适用于中高电压应用场景，如电源适配器、工业电源和照明驱动器等。该器件的最大连续漏极电流为14A，在适当的散热条件下能够维持稳定工作，满足大功率负载的需求。
UT14N65F 的导通电阻（Rds(on)）仅为0.38Ω，降低了导通损耗，提高了整体能效。同时，其最大栅源电压为±20V，具有较强的栅极驱动能力，确保在高频开关应用中快速响应，减少开关损耗。
该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于通孔安装，便于在各种电路板上进行安装和散热管理。此外，其工作温度范围从-55℃到+150℃，适应了宽温度环境下的稳定运行，提高了产品的可靠性和使用寿命。
在安全性和保护方面，UT14N65F 具备一定的抗静电能力和过热保护特性，适用于工业自动化、智能家电、新能源系统等对安全性和稳定性要求较高的领域。
UT14N65F 主要应用于各类功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明电源、电池管理系统（BMS）以及工业控制设备等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，也广泛用于智能家电、电动车充电器及光伏逆变器等新能源相关产品中。
IRF840, FQA16N65F, STF12N65M2
