类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：75A
　　最大漏-源电压（Vds）：30V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

Z5SMC75 具备出色的电气性能和热管理能力，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，优化了开关特性，使其在高频操作下仍能保持良好的性能。
　　此外，Z5SMC75 内部的硅芯片设计增强了其雪崩击穿耐受能力，提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
　　该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计要求。
　　器件还具备快速的开关速度，减少了开关损耗，适用于高频率开关应用，如同步整流、DC-DC转换器等。
　　在设计中，Z5SMC75 也具备良好的栅极驱动兼容性，能够与多种控制IC配合使用。

Z5SMC75 广泛应用于多种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、负载开关、工业自动化设备、电源模块以及高性能电源适配器。
　　在DC-DC转换器中，Z5SMC75 的低导通电阻和高速开关特性可显著提高能量转换效率，减少发热。
　　在电池管理系统中，该器件可用于高边或低边开关，实现高效的充放电控制。
　　电机控制方面，Z5SMC75 可用于H桥驱动电路，提供高效的电机驱动能力。
　　此外，它还适用于电源管理模块、负载开关电路和高功率密度电源系统，满足对小型化和高效率要求较高的应用场景。

IRF1405, Si4410DY, FDS6680, IPD90N03S4-03