时间：2025/8/5 15:25:32
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IXSH24N60AU1 是一款由 IXYS 公司生产的高电压、大电流 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。这款 MOSFET 的最大漏源电压（Vds）为 600V，最大连续漏极电流（Id）为 24A，适合应用于如开关电源（SMPS）、马达控制、逆变器和各种高功率电子设备中。IXSH24N60AU1 封装采用 TO-247 形式，具备良好的热性能和机械强度，适用于高功率密度设计。
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：24A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
阈值电压（Vgs(th)）：2.1V 至 4.0V（在 Id=250μA 时）
导通电阻（Rds(on)）：0.26Ω（最大值，在 Vgs=10V 时）
总功耗（Ptot）：200W
热阻（Rth(j-c)）：0.625°C/W
IXSH24N60AU1 是一款高性能的功率 MOSFET，其采用了先进的平面条形技术，提供低导通电阻和卓越的开关性能，确保在高频操作下的高效能。该器件具备出色的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作。其高 dv/dt 耐受能力和雪崩能量承受能力增强了器件在严苛工况下的可靠性。此外，该 MOSFET具有低门极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统效率。TO-247 封装形式提供了优良的散热能力，适用于需要高功率处理能力的应用场景。
IXSH24N60AU1 还具有良好的短路耐受能力，可在短时间内承受过载电流而不损坏。该器件的封装材料符合 RoHS 标准，适合环保要求高的应用。此外，该 MOSFET的栅极驱动要求较低，易于与常见的驱动电路配合使用，从而简化电路设计并降低系统成本。
IXSH24N60AU1 主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、照明镇流器以及工业自动化和控制系统中。其高电压和大电流特性也使其适用于太阳能逆变器、电焊机、电动工具和电动汽车充电设备等高功率应用。此外，该器件也可用于高电压负载开关、电池管理系统和功率因数校正（PFC）电路中。
IXSH24N60CFD2, IRFPC50, FDPF24N60, STP24N60
