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NTJD4001NT1G 发布时间 时间：2023/4/13 10:43:15 查看 阅读：480

描述：30V,0.25A,N沟道双MOSFET

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1500

最大漏极电流Id(on)(A)：0.250

通道极性：N

封装/温度(℃)：SC88-6/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

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NTJD4001NT1G产品

NTJD4001NT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C250mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 10mA，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.3nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds33pF @ 5V
  • 功率 - 最大272mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTJD4001NT1GOSNTJD4001NT1GOS-NDNTJD4001NT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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