IXSH10N60 时间：2025/8/5 19:12:24 阅读：15

IXSH10N60是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压、高频率的开关应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和电流承载能力。IXSH10N60在600V的漏极-源极电压下工作，适用于电源转换器、马达控制、照明系统以及各种工业设备中。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性使其在功率电子设计中备受青睐。

参数

漏极-源极电压 Vds: 600V
　　栅极-源极电压 Vgs: ±30V
　　漏极连续电流 Id: 10A（Tc=25°C）
　　导通电阻 Rds(on): 最大0.58Ω
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　最大耗散功率 Pd: 160W
　　栅极电荷 Qg: 57nC（典型值）
　　漏极-源极击穿电压 dV/dt: 5V/ns（最小）

特性

IXSH10N60具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于多种高功率应用场景。首先，其600V的漏极-源极电压额定值使其能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)典型值为0.58Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下功耗较小，从而提高了整体效率并减少了散热需求。此外，IXSH10N60的栅极电荷Qg为57nC，这一参数保证了较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高工作频率。该器件还具有良好的dV/dt耐受能力，最小值为5V/ns，能够在高噪声环境下稳定工作。由于其TO-247封装形式，IXSH10N60具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。此外，该MOSFET的封装结构使其易于安装在散热片上，进一步提升了热管理能力。

应用

IXSH10N60广泛应用于各种高电压、高效率的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其快速开关特性和较高的耐压能力，IXSH10N60也常用于高频电源变换器和节能照明系统中。此外，它还适用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统等新能源领域的功率开关环节。