时间：2025/8/5 13:16:06
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IXLN35N120 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。IXLN35N120 特别适用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化系统等高功率应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：35A
漏源电压（VDS）：1200V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(ON)）：典型值为 150mΩ
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
IXLN35N120 采用先进的平面 DMOS 工艺制造，具有较低的导通电阻（RDS(ON)），这有助于降低导通损耗，提高能效。其高耐压能力达到 1200V，使其适用于高压系统设计。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。此外，IXLN35N120 的高速开关特性使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
该 MOSFET 设计有较高的抗雪崩击穿能力，能够承受瞬态高电压和大电流，提高了器件的可靠性和耐用性。此外，其封装形式为 TO-247，这种封装形式便于安装和散热，适用于高功率密度的设计需求。
在实际应用中，IXLN35N120 提供了出色的动态性能，适合用于各种电力电子变换器，如 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器和电机驱动器。其栅极驱动特性也较为友好，可以在较宽的栅极电压范围内稳定工作。
IXLN35N120 主要用于高功率电子设备中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电焊机和电力控制系统。该器件的高耐压和高电流能力使其非常适合用于需要高压直流（HVDC）转换和控制的应用场景。
IXFH35N120
