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GA1210Y683KBCAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:26:32 查看 阅读:10

GA1210Y683KBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,通常用于电源管理、开关模式电源(SMPS)和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,能够有效降低能耗并提升系统效率。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET系列,适合高频和高效率的应用场景,广泛应用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):75W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y683KBCAR31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下可以有效减少导通损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 快速开关性能,有助于降低开关损耗并在高频工作时保持高效。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性和可靠性。
  4. 热稳定性强,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的要求。

应用

该器件适用于多种应用领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机(BLDC)或步进电机。
  3. 工业自动化设备中的负载开关或保护电路。
  4. 充电器和适配器中的功率转换模块。
  5. 逆变器和不间断电源(UPS)系统中的关键功率元件。

替代型号

IRF540N, FQP17N60, AOD510

GA1210Y683KBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-