时间：2025/6/21 10:57:07
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SI3951DV-T1-E3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的封装技术，适用于需要高效功率转换和低导通电阻的应用场景。其设计旨在为消费类电子、通信设备及工业应用提供卓越的性能表现。
型号：SI3951DV-T1-E3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：30 V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：2.5 mΩ
Id（连续漏极电流）：80 A
Qg（总栅极电荷）：16 nC
Vgs(th)（阈值电压）：1.4 V
封装形式：TOLL
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
SI3951DV-T1-E3 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力。它采用 TOLL 封装，这种封装形式有助于提升散热性能并简化 PCB 设计。
此外，该器件支持高频开关操作，非常适合用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等应用。由于其出色的电气性能和可靠性，能够在高温环境下稳定运行，因此在工业和汽车领域也有广泛的应用前景。
其关键优势包括：
- 极低的 Rds(on)，降低传导损耗
- 高 Id 支持大电流传输
- 优化的 Qg 提升效率
- 符合 RoHS 标准，环保无铅材料
- 在极端温度范围内保持可靠性能
SI3951DV-T1-E3 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关
4. 工业电机驱动和逆变器
5. 数据中心服务器供电模块
6. 汽车电子系统中的功率管理
7. 高效能源转换相关的各类电路设计
SIH3951DP, SI3952DS
