时间：2025/8/5 17:35:31
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IXKK85N60CR是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于电源管理、电机控制和开关电源等领域。IXKK85N60CR的设计使其能够在高电压和大电流条件下稳定运行，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：85A
漏极-源极电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXKK85N60CR具有低导通电阻，这使得它在高电流条件下能够减少功率损耗，提高效率。
其高耐压能力（600V）使其适用于高压电路的设计。
该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提高整体系统的效率。
此外，IXKK85N60CR采用了TO-247封装，提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定性。
由于其优异的热管理和电气性能，这款MOSFET非常适合用于需要高可靠性和高性能的应用场景。
IXKK85N60CR广泛应用于多种高功率和高频率的电子设备中，包括开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制系统。
在电源管理领域，它能够提供高效的功率转换，适用于工业电源、UPS（不间断电源）和电池充电器等设备。
在电机控制应用中，IXKK85N60CR的快速开关特性和低导通电阻能够提高电机驱动的效率和响应速度。
此外，该器件还常用于新能源领域的逆变器设计，如太阳能逆变器和风能转换系统，以确保高效的能量转换。
IXFK85N60CR, IRF85N60C3, FCP85N60
