时间：2025/8/6 12:00:38
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IXKC13N80C是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高功率应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的热稳定性和电流承载能力，适用于开关电源、电机控制、逆变器以及工业自动化设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：800V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：13A
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω（最大0.55Ω）
功耗（PD）：200W
封装形式：TO-247
IXKC13N80C具有低导通电阻特性，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的平面技术，提供良好的热性能和高可靠性。
此外，其高栅极电荷（Qg）特性有助于在高频率下实现稳定运行，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力。
该MOSFET还具备快速开关性能，适用于需要高效率和高频操作的应用场景。其TO-247封装形式有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作状态。
IXKC13N80C还具备良好的耐久性和抗静电能力，适合在工业环境中长期使用。
IXKC13N80C常用于各种高电压和高功率应用，包括开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备以及电源管理系统。
由于其高耐压能力和良好的热性能，该器件也适用于LED照明驱动器、不间断电源（UPS）系统以及家电中的功率控制模块。
在新能源领域，IXKC13N80C也可用于太阳能逆变器和风力发电设备中的功率转换系统。
STF12N80M5, FQA16N80C, SPW20N80C3
