晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：在2 mA时为110-800
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

TISP2180F3D具备出色的高频性能，适用于射频和中频放大器的设计。其过渡频率（fT）高达250 MHz，使得该晶体管能够在高频条件下保持良好的增益特性。此外，TISP2180F3D的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，提供了良好的设计灵活性，能够适应不同的放大需求。
　　该晶体管的封装形式为SOT-23，这是一种小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局，并具有良好的热管理和电气性能。TISP2180F3D的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，使其能够在中等功率应用中稳定工作。
　　该器件的最大功耗为300 mW，能够在不需额外散热的情况下提供足够的功率处理能力。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级应用环境，具有良好的温度稳定性和可靠性。
　　由于其高频特性，TISP2180F3D常用于射频信号放大、中频放大、混频器、振荡器等电路中，特别适合于无线通信系统、射频模块、测试设备等应用场景。

TISP2180F3D广泛应用于射频和中频放大器电路，常见于无线通信设备、射频前端模块、测试仪器和工业控制系统中。该晶体管也适用于需要高频响应和稳定增益的模拟电路设计，如低噪声放大器（LNA）、混频器和振荡器等。由于其小型SOT-23封装，TISP2180F3D特别适合用于空间受限的高密度PCB布局中。

BCW66H, BFQ56, 2N3904