时间：2025/7/23 9:13:01
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STB18N65M5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能功率转换应用设计。该器件采用先进的MDmesh M5技术，提供高击穿电压和低导通电阻，适用于如电源供应器、马达控制、DC-DC转换器和各种工业应用。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：18 A
漏源导通电阻（Rds(on)）：0.22 Ω
栅极电荷（Qg）：46 nC
最大工作温度：150 °C
封装类型：TO-220
STB18N65M5具有多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少功率损耗，提高整体效率；高达650V的漏源击穿电压使其适用于高电压应用场景；采用ST的MDmesh M5技术，优化了导通和开关性能，确保在高频操作下的稳定性。此外，该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，可在高温环境下稳定运行。
其栅极设计优化了开关速度和驱动损耗，使得该MOSFET在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种功率电子设备。
STB18N65M5广泛应用于各种功率电子系统中，包括AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）、光伏逆变器、马达驱动电路以及工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻的特性也使其适用于电动汽车充电设备、UPS（不间断电源）系统和储能解决方案。
STF18N65M5, STW18N65M5, IRFP4668, FDPF4682
