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IXI858S1T/R 发布时间 时间:2025/12/26 23:05:27 查看 阅读:12

IXI858S1T/R是一款由IXYS公司生产的高集成度、单芯片脉冲宽度调制(PWM)控制器,专为高性能离线式开关电源设计。该器件采用先进的BCD工艺制造,集成了高压启动电路、电流模式PWM控制、多种保护功能以及低功耗待机模式,适用于AC-DC转换应用。IXI858S1T/R特别适合用于反激式拓扑结构的电源系统,能够在宽输入电压范围内稳定工作,广泛应用于适配器、充电器、辅助电源和工业电源等领域。其封装形式为小型化的表面贴装SOT-223或类似功率增强型封装,有助于减小整体PCB尺寸并提升热性能。该芯片内置了频率抖动技术,有效降低电磁干扰(EMI),从而简化EMI滤波电路设计,帮助产品通过相关认证。此外,IXI858S1T/R具备软启动功能,可防止开机时的电流冲击,并提供过温保护、过载保护和短路保护等多重安全机制,确保系统在异常条件下仍能可靠运行。

参数

型号:IXI858S1T/R
  制造商:IXYS(现隶属于Littelfuse)
  工作电压范围:典型8V至40V
  启动电压:约16V
  关闭电压:约8.5V
  最大占空比:约90%
  开关频率:65kHz ± 8%
  控制模式:电流模式PWM
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOT-223
  引脚数:4
  静态电流:≤ 2.5mA(典型值)
  反馈输入类型:光耦隔离反馈(FB引脚)
  最大输出驱动能力:图腾柱输出,可驱动MOSFET栅极
  内置保护功能:过温保护、过流保护、短路保护、欠压锁定(UVLO)

特性

IXI858S1T/R具备多项先进特性,使其成为高效、可靠的开关电源控制解决方案。首先,它集成了高压启动电路,能够在上电时直接从高压母线完成启动,无需额外的偏置绕组或外部启动电阻,显著降低了外围元件数量和系统成本。其次,该芯片采用电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应和良好的线性调节能力,同时支持逐周期电流限制,增强了系统的稳定性与安全性。其内置的自动重启动功能在发生故障(如输出短路或过载)时会自动进入间歇工作模式,限制平均输出功率,防止器件损坏。
  另一个关键特性是频率抖动技术(Frequency Jittering),即开关频率在标称值附近进行微小调制,有效分散能量频谱,大幅降低传导和辐射EMI,使电源更容易满足CISPR 22/32等电磁兼容标准。此外,IXI858S1T/R具有极低的待机电流,在轻载或空载条件下可进入突发模式(Burst Mode)运行,显著提高轻载效率,满足能源之星(Energy Star)和DoE Level VI等高能效法规要求。
  该器件还配备了完善的保护机制,包括内部设定的过温关断(OTP)、可编程过流保护(OCP)、短路保护(SCP)以及欠压锁定(UVLO)。当芯片结温超过安全阈值时,OTP功能将自动关闭输出,待温度下降后恢复运行,实现自恢复保护。UVLO确保芯片仅在供电电压达到稳定工作范围后才开始正常操作,避免因电压不足导致的误动作。所有这些特性均集成于紧凑的SOT-223封装中,不仅节省空间,而且具备良好的散热性能,适用于高密度电源设计。

应用

IXI858S1T/R广泛应用于多种中小功率开关电源场景,尤其适用于需要高集成度、高效率和低成本的离线式AC-DC转换器。常见应用包括手机、平板电脑和笔记本电脑的充电器适配器,其中其低待机功耗和高转换效率符合现代便携设备对节能的要求。此外,该芯片也常用于家用电器中的辅助电源(Auxiliary Power Supply),例如电视、机顶盒、路由器和智能家居控制模块的内置SMPS电路中。
  在工业领域,IXI858S1T/R被用于工业传感器、PLC模块、继电器电源和LED照明驱动电源等设备中,得益于其宽工作温度范围和强健的保护功能,能够在恶劣环境下长期稳定运行。由于其支持反激式拓扑且无需光耦供电绕组,特别适合设计隔离型电源,实现输入与输出之间的电气隔离,保障用户安全。
  此外,该芯片还可用于电池充电系统、USB供电模块以及小型电动工具的电源管理单元。其频率抖动功能和低EMI特性使得在电磁环境敏感的应用中也能表现出色,减少了对外部滤波元件的依赖,从而降低整体BOM成本。对于追求小型化、高可靠性和合规性的电源设计方案,IXI858S1T/R是一个极具竞争力的选择。

替代型号

IXDP858S1TR

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IXI858S1T/R参数

  • 制造商IXYS
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2500