时间：2025/6/23 11:09:48
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PESDUC2FD3V3U 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的双向静电放电 (ESD) 保护二极管。它专为高速数据线和射频应用设计，能够提供卓越的瞬态电压抑制性能，同时保持超低电容特性以确保信号完整性。
该器件采用小型化的封装（如DFN），非常适合用于对空间要求较高的便携式电子设备中。PESDUC2FD3V3U 在防止由 ESD 和其他瞬态事件引起的损坏方面表现优异，是现代消费类电子产品、通信设备和工业控制系统的理想选择。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：±15A
最大击穿电压：4.8V
典型钳位电压：6V
结电容：0.3pF
响应时间：≤1ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DFN1006-2
1. 双向保护功能，适用于差分信号线路。
2. 极低的结电容（仅0.3pF），对高频或高速信号的影响极小。
3. 快速响应时间（≤1ns），可迅速抑制瞬态过压威胁。
4. 高浪涌能力（±15A 峰值脉冲电流），能有效应对严苛环境中的 ESD 事件。
5. 小型化封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
6. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应多种应用场景。
1. USB Type-C 接口保护。
2. 高速数据传输线保护（如 HDMI、DisplayPort）。
3. 射频前端保护（如 Wi-Fi、蓝牙模块）。
4. 工业自动化系统中的通信接口保护。
5. 汽车电子中的敏感电路防护。
6. 消费类电子产品的电源与信号端口保护。
PESD2CAN-T, PESD2USBLC7-T
