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GD25LQ256H 发布时间 时间:2025/8/28 18:34:13 查看 阅读:17

GD25LQ256H 是由兆易创新(GigaDevice)推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片(Serial Flash),容量为256M-bit(即32MB),主要面向需要大容量存储和高速数据读取的应用场景。该芯片支持标准SPI、Dual SPI和Quad SPI接口模式,具备广泛的应用兼容性和灵活性。GD25LQ256H 采用先进的CMOS工艺制造,支持多种电压供电范围,适用于工业级和消费类电子产品。

参数

容量:256M-bit (32MB)
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  接口类型:SPI/Dual SPI/Quad SPI
  最大时钟频率:120MHz(在Quad SPI模式下)
  擦写寿命:10万次以上
  数据保存时间:10年以上
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装形式:WSON8、SOP8、QFN8等多种封装形式可选
  页面编程大小:256字节
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB 和整片擦除

特性

GD25LQ256H 是一款高密度、高速度的串行Flash存储器芯片,适用于需要大容量存储的嵌入式系统、物联网设备、显示模块、无线模块等应用场景。其核心特性包括:
  ? 多种接口支持:GD25LQ256H 支持标准SPI、Dual SPI和Quad SPI接口,用户可根据系统需求选择不同的通信模式,尤其在Quad SPI模式下,数据传输速率可达120MHz,大大提升了数据读取效率。
  ? 高容量与灵活擦写:256M-bit的存储空间能够满足较大规模固件和数据的存储需求。支持4KB、32KB、64KB块擦除以及整片擦除操作,方便用户进行灵活的存储管理。
  ? 高耐久性与长数据保存时间:该芯片支持10万次以上的擦写寿命,数据可保存10年以上,适合对数据稳定性有较高要求的应用场景。
  ? 低功耗设计:GD25LQ256H 支持多种低功耗模式,包括掉电模式(Power-down Mode)和休眠模式(Sleep Mode),可有效降低系统功耗,适用于电池供电设备或对功耗敏感的系统。
  ? 宽电压支持:工作电压范围为2.3V至3.6V,适应多种电源设计需求,增强了其在不同应用环境中的适用性。
  ? 多种封装形式:包括WSON8、SOP8、QFN8等,适应不同PCB布局和空间限制,便于在多种应用场景中灵活使用。
  ? 工业级温度范围:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,确保在恶劣工业环境下也能稳定运行。

应用

GD25LQ256H 主要用于以下应用场景:
  ? 嵌入式系统:用于存储引导代码、固件升级文件、配置信息等,适用于工业控制、智能仪表、通信模块等设备。
  ? 物联网设备:适用于智能家居、穿戴设备、传感器节点等需要低功耗、大容量存储的物联网终端设备。
  ? 显示模块:用于存储图形数据、字体库、触摸控制程序等,常见于人机界面(HMI)和工业触摸屏。
  ? 无线模块:适用于Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等无线通信模块的固件存储和数据缓存。
  ? 医疗设备:用于便携式医疗设备、远程监测设备中的数据存储和程序加载。
  ? 消费电子:如电子书、电子相框、智能玩具等消费类电子产品中,用于存储图片、音频、视频等多媒体内容。

替代型号

W25Q256JV, MX25U25635F, ISSI IS25WP256