DW167MN05 时间：2025/9/20 20:53:22 阅读：6

DW167MN05是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度电源管理应用而设计。该器件集成在单个芯片上，包含两个独立的N沟道MOSFET，适用于需要紧凑尺寸和高性能的便携式设备和电源系统。其封装形式通常为小型化表面贴装封装（如DFN2020-6或类似），有助于节省PCB空间并提升热性能。该MOSFET特别适合用于同步整流、负载开关、电池管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。由于其低导通电阻和快速开关特性，DW167MN05能够在低电压、大电流的应用中有效降低功耗，提高整体系统效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性与稳定性，适合在工业、消费电子及通信设备中广泛应用。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：4.9A（单通道）
　　脉冲漏极电流(IDM)：19.6A
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ（@ VGS=4.5V）
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ（@ VGS=2.5V）
　　阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：320pF（@ VDS=10V）
　　输出电容(Coss)：180pF（@ VDS=10V）
　　反向恢复时间(trr)：典型值12ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/焊盘：DFN2020-6
　　功率耗散(PD)：1.5W

特性

DW167MN05采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具有极低的导通电阻RDS(on)，这使得它在低电压开关应用中表现出色，能够显著减少传导损耗，提升电源转换效率。其13mΩ的RDS(on)在4.5V栅极驱动下表现优异，即便在2.5V逻辑电平驱动下仍能保持17mΩ的低阻值，确保了与现代低压控制IC的良好兼容性。这种宽泛的栅极驱动适应能力使其可用于3.3V、2.5V甚至1.8V供电的微控制器或电源管理单元直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　该器件的双N沟道结构设计允许在半桥或同步整流拓扑中灵活使用，例如在降压（Buck）转换器中作为上下管配置，实现高效的能量传输。同时，由于两个MOSFET共享同一封装但电气隔离，因此可独立控制，适用于负载开关、OR-ing二极管替代、热插拔电路等应用场景。器件的输入电容较低（Ciss=320pF），有助于减少驱动损耗，并加快开关速度，从而降低开关过程中的动态损耗，进一步提升系统能效。
　　热性能方面，DFN2020-6封装具备优良的散热能力，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至地层或散热层，确保在高负载条件下也能维持稳定工作温度。其高达+150°C的最大结温允许在高温环境中可靠运行，增强了系统的环境适应性。此外，器件具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，提高了在实际应用中的鲁棒性。综合来看，DW167MN05凭借其小尺寸、高性能和高可靠性，成为现代便携式电子产品和高密度电源模块中的理想选择。

应用

DW167MN05广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理系统中。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关和电源路径管理，用于控制不同功能模块的供电通断，避免浪涌电流并实现节能待机模式。在同步整流型DC-DC转换器中，该器件可用作下管MOSFET，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通压降和功耗，提高转换效率，尤其适用于电池供电系统以延长续航时间。
　　此外，该器件也适用于电池充电管理电路中的充放电通路控制，以及多电源选择电路（Power MUX）中实现自动电源切换。在电机驱动和LED驱动电路中，DW167MN05可用于H桥或半桥拓扑结构中的低端开关，提供快速响应和低损耗控制。其小型封装特性还使其非常适合空间受限的物联网设备、无线传感器节点和微型电源模块设计。工业级温度范围和高可靠性也支持其在工业自动化、通信模块和嵌入式控制系统中的长期稳定运行。