IXGX120N60 时间：2025/8/5 15:19:03 阅读：29

IXGX120N60是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用。该器件采用TO-247封装，具备优良的导热性能和电气性能，适用于电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备等领域。IXGX120N60的设计确保了在高压和高电流条件下仍能保持稳定的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.045Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　功率耗散(Pd)：300W
　　封装形式：TO-247

特性

IXGX120N60的特性包括低导通电阻、高电流容量和快速开关速度。其低导通电阻确保在高电流条件下仍能保持较低的功耗，提高系统效率。此外，该器件的高电流容量使其能够承受瞬时高电流负载，适用于高功率开关电源和电机控制应用。快速开关速度有助于减少开关损耗，提高系统的整体响应速度。
　　该MOSFET采用了先进的平面技术，具有优异的热稳定性和可靠性。其设计确保在高温环境下仍能正常工作，并且具备较高的短路耐受能力。IXGX120N60还具有较低的栅极电荷，有助于减少驱动电路的功耗，并提高系统的开关效率。
　　此外，该器件的封装设计优化了散热性能，使热量能够更有效地传导至散热片，从而延长器件的使用寿命。TO-247封装形式也便于安装和散热管理，适用于各种高功率应用场景。

应用

IXGX120N60广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于高功率DC-DC转换器、AC-DC整流器和功率因数校正（PFC）电路。在电机控制应用中，IXGX120N60可用于变频器、伺服驱动器和工业自动化设备中的功率开关元件。
　　此外，该器件还适用于不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等高功率应用。在这些系统中，IXGX120N60能够提供稳定的性能，并确保系统的高效率和可靠性。