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NTD20N03L27 发布时间 时间:2025/6/5 12:30:19 查看 阅读:7

NTD20N03L27是一款N沟道增强型MOSFET,适用于高频开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的电气特性和可靠性,广泛用于电源管理、电机驱动、消费类电子设备等领域。
  这款MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,并支持高频率工作环境。其封装形式通常为SOT-23或TO-252,体积小巧且散热性能优越。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:8.7A
  导通电阻:0.024Ω
  栅极电荷:6nC
  总电容:135pF
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

NTD20N03L27的主要特点是低导通电阻和快速开关速度,这使得它非常适合需要高效能和高频操作的电路设计。
  1. 超低导通电阻(Rds(on))降低了传导损耗,提高了整体效率。
  2. 高速开关能力使其在高频DC-DC转换器和PWM控制器中表现出色。
  3. 小巧的封装便于PCB布局,同时提供良好的热稳定性。
  4. 宽工作温度范围确保了在极端条件下的可靠运行。
  这些特性共同构成了一个高性能、低成本的解决方案,特别适合便携式电子产品和小型化设备的设计需求。

应用

NTD20N03L27适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和高频开关。
  2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的功率开关。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 电机驱动和H桥控制电路中的驱动开关。
  5. 消费类电子产品如智能手机充电器、平板电脑适配器等中的功率调节。
  其紧凑的封装和高效的性能,使该器件成为众多现代电子产品的理想选择。

替代型号

NTD20N03L,
  IRF7469,
  FDP016N03L,
  AO3400

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NTD20N03L27参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 10A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1260pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装管件