类型：LDMOS RF功率晶体管
　　最大漏极电压：65 V
　　工作频率范围：1.8 GHz ~ 2.7 GHz
　　输出功率：约120 W（典型值）
　　增益：约18 dB（典型值）
　　效率：约60%（典型值）
　　线性度：优异的ACLR和EVM性能
　　封装类型：高热导率陶瓷封装
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C

HTG2190具备出色的功率处理能力和高热稳定性，能够在高频段提供稳定的输出性能。其LDMOS结构设计确保了在高电压和大电流条件下仍能维持较高的效率和可靠性。该器件在2GHz至2.7GHz频段范围内表现出色，适合用于多频段和宽带射频功率放大器设计。
　　HTG2190采用了先进的晶圆制造工艺，提升了器件的耐用性和长期稳定性。它在高功率操作下具有良好的热管理能力，减少了系统设计中的散热压力，有助于实现紧凑型射频放大器模块。此外，该晶体管具有较高的增益和出色的线性性能，适用于需要高信号完整性的现代通信系统，如5G基站、WiMAX和DVB-T广播发射机。
　　HTG2190还具备良好的抗失真能力，支持高阶调制方案（如64QAM、256QAM），从而确保在复杂信号环境下的通信质量。其高效率特性有助于降低能耗，提升整体系统能效，符合绿色通信和节能设计的趋势。

HTG2190主要用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波回传系统、广播发射机和测试测量设备。其高频段性能使其成为5G NR（新无线电）和4G LTE宏基站功率放大器的理想选择。此外，该器件也适用于工业和医疗射频设备，如射频加热系统和等离子体发生器。在多载波通信系统中，HTG2190能够提供稳定可靠的功率放大功能，满足高数据速率传输的需求。

NXP AFT042120N150HF, Freescale MRFE6VP61K25H