时间：2025/8/9 18:13:37
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6DI50B-050 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率半导体器件，具体为双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）。该器件具有较高的电流和电压承受能力，适用于高功率应用。6DI50B-050 采用TO-220封装，具有良好的散热性能，广泛应用于工业控制、电源系统以及电力电子设备中。
类型：NPN型双极性晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：50A
最大功率耗散（PD）：150W
电流增益（hFE）：约50-150（根据工作条件）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
6DI50B-050 具备出色的电气性能和稳定性，能够在高电流和高电压条件下稳定工作。其最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流可达50A，适用于需要较高功率处理能力的电路。该晶体管的最大功率耗散为150W，能够在较高温度下保持良好的性能。
此外，6DI50B-050 的TO-220封装设计有助于散热，提高器件在高功率环境下的可靠性。该器件的电流增益（hFE）在不同工作条件下可达到50至150之间，具有较好的放大能力。其工作温度范围较宽，支持从-55°C至+150°C的环境温度，适用于多种工业和高温应用场景。
6DI50B-050 主要应用于需要高功率放大或开关功能的电子设备中。典型应用包括电源供应器、逆变器、直流电机控制器、工业自动化设备、UPS不间断电源系统以及汽车电子系统等。由于其高电流和高压承受能力，该晶体管特别适用于大功率负载的驱动，如直流电机、电磁阀、继电器和电热元件等。
2SD1047, 2SC2917, BDW93C
