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FDB050AN06A 发布时间 时间:2025/8/24 22:17:49 查看 阅读:20

FDB050AN06A 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):50A(最大值)
  导通电阻(RDS(on)):最大 5mΩ(在 VGS=10V 时)
  功率耗散(PD):150W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-263(D2Pak)

特性

FDB050AN06A 具备多个显著特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件的额定漏源电压为 60V,适用于多种中高压电源转换场景。漏极电流可达 50A,具备出色的电流承载能力,适合高负载应用。此外,其封装形式为 TO-263(D2Pak),具备良好的热管理和散热性能,确保在高功率运行下的稳定性。器件还具备较高的栅极击穿电压(±20V),提高了抗干扰能力和操作安全性。飞兆半导体通过先进的沟槽工艺技术,优化了器件的导通性能和开关特性,使其能够在高频开关条件下保持较低的开关损耗。FDB050AN06A 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应各种恶劣环境下的运行需求。总的来说,FDB050AN06A 是一款性能优越、可靠性高的功率 MOSFET,适用于现代电源管理系统中的多种关键应用。

应用

FDB050AN06A 广泛应用于多个领域,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制器、负载开关、电源分配系统、UPS(不间断电源)和工业自动化设备。由于其具备低导通电阻和高电流处理能力,该器件特别适合用于高效率的电源转换和管理场合。在开关电源中,FDB050AN06A 可用于主开关或同步整流器,以提高整体转换效率。在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效的电压转换。在电池管理系统中,FDB050AN06A 可用于充放电控制,确保电池的安全运行。此外,在电机控制应用中,该器件可用于 H 桥结构,实现电机的正反转控制和制动功能。由于其良好的热管理性能和封装形式,FDB050AN06A 还可用于高功率密度设计和紧凑型电源系统。

替代型号

FDB050AN06A 可以使用以下型号作为替代,包括 FDP050N06、IRF1405、IRF1405PBF、FDV050N06、SiS454DN、IPD050N06N 和 FDBL050N06A 等。这些替代型号在参数和性能方面与 FDB050AN06A 相似,适用于相同的应用场景。

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