IXGT50N60C2 时间：2025/8/6 3:45:51 阅读：20

IXGT50N60C2是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率、高频开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。IXGT50N60C2广泛应用于电源转换器、逆变器、马达控制以及工业自动化系统等场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：50A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.17Ω（在Vgs=10V时）
　　输入电容（Ciss）：约1600pF
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值为100ns
　　功率耗散（Ptot）：300W

特性

IXGT50N60C2的特性包括先进的沟槽栅极技术，提供更低的导通电阻和更高的效率，适合高频开关应用。其优化的芯片设计确保了较低的开关损耗，从而提高了系统的整体能效。该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。此外，IXGT50N60C2的封装设计（TO-247）增强了散热性能，使其能够适应严苛的工作条件。
　　该器件还具有出色的耐用性和可靠性，能够在高电流和高电压条件下长时间工作而不发生性能退化。IXGT50N60C2的栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂性。此外，该MOSFET的快速反向恢复时间（trr）使其适用于高效率的电源转换系统。

应用

IXGT50N60C2广泛应用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、马达驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备。在开关电源中，该器件能够提供高效的直流-直流转换能力，提升电源的整体效率。在马达驱动应用中，IXGT50N60C2的低导通电阻和高电流承载能力使其成为理想的选择。此外，该MOSFET也适用于太阳能逆变器、电动车充电器以及其他需要高效功率管理的场景。